[发明专利]用于屏蔽磁敏感组件的结构和方法有效
| 申请号： | 201580026548.6 | 申请日： | 2015-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN106415727B | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 林文钦;J·简斯基 | 申请（专利权）人： | 艾沃思宾技术公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L23/14;H01L23/552 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了用于屏蔽磁敏感组件的结构和方法。一种结构包括：衬底；设置在衬底上的底屏蔽件；具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面的磁电阻半导体器件，磁电阻半导体器件的第一表面设置在底屏蔽件上；设置在磁电阻半导体器件的第二表面上的顶屏蔽件；以及将磁电阻半导体器件连接到多个导电元件的多个互连，其中顶屏蔽件具有用于接入所述磁电阻半导体器件的窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 屏蔽 敏感 组件 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装件，包括：在第一平面中延伸的底屏蔽件，所述底屏蔽件包括第一侧、第二侧以及在第一平面中延伸的第一长度；磁电阻元件，具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，所述磁电阻元件的所述第一表面在第一界面处布置在所述底屏蔽件的至少一部分上，其中所述第一界面与所述第一平面平行；以及顶屏蔽件，布置在所述磁电阻元件的所述第二表面上，所述顶屏蔽件具有用于接入所述磁电阻元件的窗口，其中所述顶屏蔽件在与所述第一平面平行的第二平面中延伸，所述顶屏蔽件包括第一侧、第二侧以及在第二平面中延伸的第二长度，其中所述底屏蔽件的第一长度大于所述顶屏蔽件的第二长度。
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