[发明专利]用于构造三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)和相关系统的方法

摘要

本发明揭示用于构造三维集成电路和相关系统的方法。在一个方面中，通过在固持衬底上形成例如晶体管的有源元件来构造第一层。在所述有源元件上方形成互连金属层。在所述互连金属层内形成金属接合垫。还同时或依序地形成第二层。所述第二层与所述第一层以大致相同的方式形成且接着置于所述第一层上，使得所述相应金属接合垫对准且将一个层接合至另一层。接着释放所述第二层的所述固持衬底。接着薄化所述第二层的背侧，使得所述有源元件的后表面(例如，晶体管中的栅极的背面)暴露。可在需要的情况下添加额外层，从而基本上重复此工艺。

主权项

1.一种形成三维3D集成电路IC3DIC的方法，其包括：通过以下操作形成第一层：提供第一固持衬底；在所述第一固持衬底上方形成第一晶体管；以及在所述第一晶体管上方形成包含第一金属接合垫的第一互连金属层；通过以下操作形成第二层：提供第二固持衬底；在所述第二固持衬底上方形成第二晶体管；以及在所述第二晶体管上方形成包含第二金属接合垫的第二互连金属层；将所述第一金属接合垫接合到所述第二金属接合垫；释放所述第二固持衬底且暴露所述第二晶体管的第二后表面；以及将背栅添加到所述第二晶体管以使得所述背栅位于所述第二后表面的上方且接近所述第二后表面。