[发明专利]用于磁性隧道结器件的抗蚀刻保护涂层有效
| 申请号： | 201580025952.1 | 申请日： | 2015-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN106463615B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | Y·陆;C·朴;W-C·陈 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李小芳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成磁性隧道结(MTJ)器件(118)的方法包括在该MTJ器件的暴露侧部(124)上形成分隔件(116)。该方法进一步包括形成与该MTJ器件(118)相关联的抗蚀刻保护涂层(130)。该抗蚀刻保护涂层(130)提供比该分隔件(116)更大的抗蚀性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 磁性 隧道 器件 蚀刻 保护 涂层 | ||
【主权项】：
1.一种形成磁性隧道结MTJ器件的方法，所述方法包括：/n在所述MTJ器件的暴露侧部上形成分隔件；以及/n在所述分隔件的顶表面以及所述分隔件的侧壁的至少一部分上形成抗蚀刻保护涂层，其中/n形成所述抗蚀刻保护涂层包括：/n在定向沉积工艺期间，通过对包括所述MTJ器件的晶片进行倾斜和旋转中的至少一者来在所述分隔件的顶表面上、在所述MTJ器件的硬掩模层上、以及在所述分隔件的所述侧壁的所述部分上形成保护结构；以及/n氧化所述保护结构。/n
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