[发明专利]用于交叉点式阵列的双向存取的设备及方法有效
| 申请号： | 201580023515.6 | 申请日： | 2015-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN106463173B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 埃尔南·A·卡斯特罗 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 所揭示的技术大体上涉及设备及操作所述设备的方法，且更特定来说涉及交叉点式存储器阵列及存取交叉点式存储器阵列中的存储器单元的方法。在一个方面中，设备包括存储器阵列。所述设备进一步包括经配置以引起存取操作的存储器控制器，其中所述存取操作包含：针对所述存取操作的选择阶段跨所述存储器阵列的存储器单元施加第一偏压；及针对所述存取操作的存取阶段跨所述存储器单元施加量值低于所述第一偏压的第二偏压。所述存储器控制器进一步经配置以引起流动通过所述存储器单元的电流方向在所述选择阶段与所述存取阶段之间反转。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 交叉点 阵列 双向 存取 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器设备，其包括：存储器阵列，其包括存储器单元；及存储器控制器，其经配置以引起存取操作，所述存取操作包括针对所述存取操作的选择阶段跨所述存储器单元施加第一偏压，及针对所述存取操作的存取阶段跨所述存储器单元施加量值低于所述第一偏压的第二偏压，其中所述存储器控制器进一步经配置以引起流动通过所述存储器单元的电流方向在所述选择阶段与所述存取阶段之间反转，且其中所述存储器单元经配置以响应于所述第一偏压的施加而阈值化，且其中所述存储器控制器进一步经配置以在施加所述第二偏压之前移除所述第一偏压，且引起流动通过所述存储器单元的电流下降到低于最小保持电流以释放所述存储器单元的阈值化条件从而恢复到未阈值化状态，其中所述存储器单元具有阈值电压，所述阈值电压具有取决于从释放所述存储器单元的先前阈值化事件的时间流逝的量值。
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