[发明专利]电场/磁场引导的酸扩散在审
| 申请号： | 201580022420.2 | 申请日： | 2015-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN106463355A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 谢鹏;L·戈黛;T·马;J·C·欧尔森;C·本彻 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供用于使在由光刻法形成线中的线边缘/宽度粗糙度最小化的方法和设备。在光刻工艺期间由光酸产生剂产生的随机的酸扩散对于线边缘/宽度粗糙度有所贡献。本文中公开的方法在光刻工艺期间施加电场和/或磁场。场的施加控制由光酸产生剂产生的酸沿线和间隔方向的扩散，从而防止源自随机扩散的线边缘/宽度粗糙度。本文中也公开了用于进行前述方法的设备。 | ||
| 搜索关键词： | 电场 磁场 引导 扩散 | ||
【主权项】：
一种用于处理基板的设备，所述设备包括：基板支座，所述基板支座包括表面，所述表面经配置以将基板支撑在所述表面上；热源，所述热源经配置以加热定位在所述基板支座的所述表面上的基板；以及电极组件，所述电极组件定位成与所述基板支座的所述表面相对，所述电极组件包括第一电极和第二电极，其中：所述第一电极包括一个或多个天线；所述第二电极包括一个或多个天线；所述第一电极中的至少一个天线和所述第二电极中的至少一个天线是交错的；以及所述电极组件经配置以在基本上平行于所述基板支座的所述表面的方向上产生电场。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580022420.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
