[发明专利]大脑深度刺激导针有效
| 申请号： | 201580019701.2 | 申请日： | 2015-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN106456966B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | A·梅尔卡尼兹尼;A·乔丹;A·米查理斯;M·博尔斯;A·德朗萨尔 | 申请（专利权）人： | 阿莱瓦神经治疗股份有限公司 |
| 主分类号： | A61N1/05 | 分类号： | A61N1/05 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明讨论一种用于大脑深度刺激导针的系统和方法。更特定地，本发明讨论一种刺激导针，所述刺激导针包括微机电系统(MEMS)膜内的一个或多个硅基阻挡层。所述硅基阻挡层可改进装置可靠性和耐用性。所述硅基阻挡层还可改进所述MEMS膜的层之间的粘附性。 | ||
| 搜索关键词： | 大脑 深度 刺激 | ||
【主权项】：
一种神经学导针，其包含：平坦成形的圆柱形膜，所述平坦成形的圆柱形膜包含远端、近端以及多个电极，所述平坦成形的圆柱形膜进一步包含：带状电缆，所述带状电缆从所述平坦成形的圆柱形膜的所述远端延伸到由所述平坦成形的圆柱形膜界定的管腔中；第一聚合物层；至少部分设置在所述第一聚合物层上方的第一硅基阻挡层；至少部分设置在所述第一硅基阻挡层上方的第一金属层；至少部分设置在所述第一金属层和所述第一硅基阻挡层上方的第二硅基阻挡层，所述第二硅基阻挡层界定第一多个穿孔；第二聚合物层，所述第二聚合物层至少部分设置在所述第二硅基阻挡层上方并且界定第二多个穿孔，所述第一多个穿孔与所述第二多个穿孔基本上对准以界定所述多个电极中的每一个；以及设置在所述第一金属层上的第二金属层。
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