[发明专利]由局部硅外延籽晶形成的体晶片中的隔离半导体层有效
| 申请号： | 201580018939.3 | 申请日： | 2015-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN106233452B8 | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | D·N·卡罗瑟斯;J·R·德博尔 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在所描述的示例中，一种集成电路(100)可以通过在基于单晶硅的衬底(102)中的隔离槽(118)内形成埋入式隔离层(124)来形成。在埋入式隔离层(124)处的衬底(102)的裸露侧表面(132)被电介质侧壁(136)覆盖。籽晶沟槽(140)穿过埋入式隔离层(124)形成以曝露出衬底(102)。基于单晶硅的籽晶层(144)穿过籽晶沟槽(140)形成并且延伸高于埋入式隔离层(124)的顶表面(126)。硅基非晶层(150)被形成为与籽晶层(144)接触。保护层(152)被形成在非晶层(146)上方。辐射感应的再结晶工艺将非晶层(150)转换为与籽晶层(144)对齐的单晶层。保护层(152)被移除并且单晶层被平坦化，留下在埋入式隔离层(124)上方的隔离半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 局部 外延 籽晶 形成 晶片 中的 隔离 半导体 | ||
【主权项】：
一种集成电路，其包含：衬底，其包括硅基单晶半导体材料；埋入式隔离层，其包括所述衬底中的电介质材料，所述埋入式隔离层的顶表面比与所述埋入式隔离层相邻的所述衬底的顶表面低；基于单晶硅的材料的籽晶层，其通过所述埋入式隔离层被设置在籽晶沟槽中，所述籽晶层穿过所述籽晶沟槽与所述衬底接触；以及隔离半导体层，其被设置在所述埋入式隔离层上方并在所述埋入式隔离层之上的所述衬底的侧表面处与所述衬底分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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