[发明专利]激光加工装置及激光加工方法有效
申请号: | 201580017834.6 | 申请日: | 2015-03-30 |
公开(公告)号: | CN106163724B | 公开(公告)日: | 2018-10-26 |
发明(设计)人: | 坂本刚志;荻原孝文 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 激光加工装置(300)具备激光光源(202)、聚光光学系统(204)、控制部(250)、以及反射型空间光调制器(203)。控制部(250)以及反射型空间光调制器(203)将以从聚光位置沿着激光(L)的光轴朝向激光(L)的入射侧将理想聚光位置仅偏移了规定距离的状态下的像差修正量聚光于该聚光位置的情况下所产生的像差作为基准像差,在最接近加工对象物(1)的表面(3)的第1区域或者距加工对象物(1)的表面(3)的距离为规定距离以下的第1区域形成改质区域时,以成为较基准像差的基准聚光长度长的第1聚光长度并且成为较基准像差的基准聚光强度弱的第1聚光强度的方式调整像差。 | ||
搜索关键词: | 激光 加工 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种激光加工装置,其特征在于,是通过将激光聚光于加工对象物而沿着切断预定线在所述加工对象物形成改质区域的激光加工装置,具备:激光光源,射出所述激光;聚光光学系统,将通过所述激光光源射出的所述激光聚光于所述加工对象物;和像差调整部,对起因于将所述激光聚光于所述加工对象物而在聚光位置上产生的像差进行调整,所述像差调整部中,将在以从所述聚光位置沿着所述激光的光轴朝向所述激光的入射侧将理想聚光位置仅偏移了规定距离的状态下的像差修正量聚光于该聚光位置的情况下所产生的所述像差作为基准像差,在最接近所述激光的入射侧的相反侧的所述加工对象物的第1表面的第1区域形成所述改质区域的情况下,以成为较所述基准像差的基准聚光长度长的第1聚光长度并且成为较所述基准像差的基准聚光强度弱的第1聚光强度的方式,调整所述像差,在较所述第1区域更接近所述激光的入射侧的所述加工对象物的第2表面的第2区域形成所述改质区域的情况下,以成为较所述基准聚光长度短的第2聚光长度并且成为较所述基准聚光强度强的第2聚光强度的方式,调整所述像差,所谓聚光位置,是预定所述改质区域的形成的位置,所谓理想聚光位置,是进行了理想聚光的所述激光的聚光点的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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