[发明专利]气体阻隔性膜及使用其的电子设备、及两者的制造方法有效
| 申请号： | 201580016562.8 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106132695B | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 小渊礼子 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡美能达株式会社 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00;H05B33/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及气体阻隔性膜及其制造方法、以及使用其的电子设备及其制造方法。本发明的目的在于提供可使将保护膜(50)除去后的残存粘合剂的除去工序简化的气体阻隔性膜。气体阻隔性膜，是具有基材(55)、在基材(55)的一面上配置了的气体阻隔层(52)、和在气体阻隔层(52)上经由粘合层(51)而配置了的保护膜(50)的气体阻隔性膜(201)，其特征在于，气体阻隔层(52)通过对在基材(55)上涂布含有聚硅氮烷的涂布液、使其干燥而得到的涂膜照射活性能量线进行改性处理来形成，在将保护膜(55)剥离的状态下所测定的气体阻隔层(52)的最表层部的元素存在比C/Si为1.5以下。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 阻隔 及其 制造 方法 以及 使用 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种气体阻隔性膜，其特征在于，所述气体阻隔性膜是具有基材、在所述基材的一面上配置的气体阻隔层、和在所述气体阻隔层上经由粘合层而配置的保护膜的气体阻隔性膜，对在所述基材上涂布含有聚硅氮烷化合物的涂布液而使其干燥所得到的涂膜照射活性能量线来进行改性处理，由此形成所述气体阻隔层，在将所述保护膜剥离了的状态下所测定的所述气体阻隔层的最表层部的元素存在比C/Si为0.5以上且1.5以下,所述最表层部为以XPS的SiO2换算计、从表面到深度2.8nm的范围。
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