[发明专利]二酮吡咯并吡咯半导性材料及其制法与用途

摘要

在本文中描述的是杂环有机化合物。更具体地，在本文中描述的是基于稠合吡咯结构与二酮吡咯并吡咯结构的组合的化合物、制造这些化合物的方法及其用途。所公开的化合物具有改进电子、聚合和稳定性性质，从而实现改进材料可加工性并且运行包括在有机半导体器件中。

主权项

1.一种具有下式的化合物：其中Ar为任选地取代的芳香或杂芳香基团或共轭基团；k为0，且结构导致噻吩和吡咯基团之间的直接键合；每个Y独立地为H、卤素、三烷基硅烷、任选地取代的C₁‑C₄₀烷基、任选地取代的芳烷基、烷氧基、烷硫基、任选地取代的C₂‑C₄₀烯基、任选地取代的C₂‑C₄₀炔基、胺羰基、酰胺基、酰氧基、芳基、芳氧基、任选地取代的胺基、羧烷基、任选地取代的环烷基、任选地取代的环烯基、酰基、任选地取代的杂芳基、任选地取代的杂芳烷基、杂芳氧基、任选地取代的杂环基、硫醇、杂芳基硫醇、任选地取代的亚砜、任选地取代的砜、OSO‑烷基、Mg‑卤素、Zn‑卤素、Sn(烷基)₃、SnH₃、B(OH)₂、B(烷氧基)₂、或OTs；每个R、R₂和R₃独立地为H、卤素、任选地取代的C₁‑C₂₀烷基、任选地取代的芳烷基、烷氧基、烷硫基、任选地取代的C₂‑C₂₀烯基、任选地取代的C₂‑C₂₀炔基、任选地取代的环烷基、任选地取代的环烯基、任选地取代的杂环基、或者来自由苯基、噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、三唑基、恶唑基、噻唑基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、萘基、异喹啉基、喹啉基、或萘啶基组成的组的任选地取代的芳基或任选地取代的杂芳基；并且R、R₂、或R₃中的至少一或多者独立地为任选地取代的C₁‑C₂₀烷基。