[发明专利]浮区硅晶片制造系统有效
| 申请号： | 201580015272.1 | 申请日： | 2015-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN106133210B | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | A·X·雅库博;J·B·罗森茨威格;M·S·格尔斯基 | 申请（专利权）人： | 雷顿太阳能股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/04 | 分类号： | C30B33/04;C30B31/22 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 孙爱 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 制造硅晶片的方法，其包括下列步骤：安装用于剥落的浮区硅工件，为微波装置供能来产生足以穿透所述浮区硅工件外表面层的能量束，用所述能量束剥落所述浮区硅工件的所述外表面层，和从所述浮区硅工件除去所述剥落的外表面层作为厚度小于100微米的硅晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 浮区硅 晶片 制造 系统 | ||
【主权项】：
1.制造半导体晶片的方法，其包含步骤：安装用于剥落的具有多边形横截面的固定实心半导体工件；为微波装置供能来产生足以穿透固定半导体工件外平面表面层的能量束；用所述能量束从所述固定实心半导体工件剥落所述外平面表面层；将冷却剂直接施加至所述固定实心半导体工件的外平面表面层来在穿透点冷却所述固定实心半导体工件，在所述穿透点所述能量束轰击所述固定实心半导体工件的外平面表面层；和从所述固定实心半导体工件除去剥落的外平面表面层工件，作为厚度小于100微米的半导体晶片。
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