[发明专利]发光元件的制造方法及发光元件在审
| 申请号： | 201580012519.4 | 申请日： | 2015-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN106463577A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 北野司;难波江宏一 | 申请（专利权）人： | 崇高种子公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/22;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 张劲松 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光元件的制造方法及通过该制造方法制造的发光元件，即使使用表面以形成衍射面的周期形成有凹部或凸部的基板，也能够抑制因凹凸的间距造成的III族氮化物半导体的结晶品质的变化。在发光元件的制造方法中，使包含发光层且由III族氮化物半导体构成的半导体层叠部在以比从发光层发出的光的光学波长大且比该光的相干长度小的周期形成凸部的基板表面成长，其中，沿着包含凸部的基板表面形成缓冲层，在缓冲层上，使内包至少一个凸部并具有刻面且相互隔离的多个晶核成长，使平坦化层在形成有多个晶核的缓冲层上成长。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光元件的制造方法，使包含发光层且由III族氮化物半导体构成的半导体层叠部，在以比从所述发光层发出的光的光学波长大且比该光的相干长度小的周期形成凸部的基板表面成长，其中，沿着包含所述凸部的所述基板表面形成缓冲层，在所述缓冲层上，使具有刻面且相互隔离的多个晶核内包至少一个所述凸部，且成长为900nm以下的高度，使平坦化层在形成有所述多个晶核的缓冲层上成长。
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