[发明专利]偏振旋转回路

摘要

在现有技术的偏振旋转回路中，一般需要形成并不适用于硅波导回路制作的氮化硅层。为了将偏振旋转回路的功能适用于光集成回路中，仅为此目的而追加形成氮化硅层的处理工序，导致制造时间的增加以及制造装置的复杂化。在本发明的偏振旋转回路中，使偏振转换回路的中央芯体部分的波导宽度变窄，由此，光波的强度不仅仅集中于中央芯体部分，使得更容易受到构造上的非对称性的影响。通过本发明的偏振旋转回路的构成，无需形成氮化硅层等，能够保持仅有硅波导的构造而高效地产生偏振转换。此外，通过并不使波导的间隔过度变窄的模式转换回路的各种构成例，提出能缩短回路长度、放宽制造时的公差的构成。

主权项

1.一种偏振旋转回路，其特征在于，具备：偏振转换回路，由肋型硅波导构成，将TM偏振的基底模式光转换成TE偏振的一次模式光，所述肋型硅波导包括中央部芯体和比所述中央部芯体薄的外围部芯体，并具有所述外围部芯体的芯体宽度逐渐扩大的锥形形状；模式转换回路，与所述偏振转换回路光学地连接，将TE偏振的一次模式光转换成TE偏振的基底模式光，所述模式转换回路由光学地连接于所述偏振转换回路的分光器、包括两个波导的延迟回路、以及光耦合器构成。