[发明专利]用于计算RF功率MOSFET的结温的方法和装置有效
| 申请号： | 201580011965.3 | 申请日： | 2015-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN106104234B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 曾克秋;T·王;K·塞南 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/01 | 分类号： | G01K7/01;G01K7/42 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 李光颖;王英 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 提供了一种用于计算RF功率MOSFET的结温的方法和装置。用于计算RF功率MOSFET的结温的方法包括以下步骤：在模拟域中建立RF功率MOSFET的瞬态热阻抗模型；使用双线性变换来计算瞬态热阻抗模型在时间域中的传递函数；基于瞬态热阻抗模型在时间域中的传递函数，利用采样频率和二阶IIR滤波器结构的类型来在数字域中建立结温补偿模型；并且通过向结温补偿模型输入实际输入来计算RF功率MOSFET的结温。本发明改进了在确定RF功率MOSFET结温中的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 计算 rf 功率 mosfet 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于计算RF功率MOSFET的结温的方法，包括以下步骤：在模拟域中建立(S1)所述RF功率MOSFET的瞬态热阻抗模型；使用双线性变换来计算(S2)所述瞬态热阻抗模型在时间域中的传递函数；选择采样频率和二阶IIR滤波器结构类型以基于所述瞬态热阻抗模型在时间域中的所述传递函数来在数字域中建立(S3)结温补偿模型；并且通过向所述结温补偿模型输入实际输入来计算(S4)所述RF功率MOSFET的所述结温。
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