[发明专利]光刻系统有效
| 申请号： | 201580010247.4 | 申请日： | 2015-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN106062636B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 简·伯纳德·普莱彻尔墨斯·范斯库特;M·库珀厄斯;A·M·雅库尼恩 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴敬莲 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻系统，包括：具有失真投影系统(PS)的光刻设备(LA)；和辐射源(SO)，所述辐射源被配置为在等离子体形成位置(4)处生成发射EUV辐射的等离子体，发射EUV辐射的等离子体在基本上垂直于辐射源(SO)的光轴(OA)的平面内具有细长形状。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 系统 | ||
【主权项】：
1.一种光刻系统，包括：具有失真投影系统的光刻设备；和辐射源，所述辐射源被配置为在等离子体形成位置处生成发射EUV辐射的等离子体，发射EUV辐射的等离子体在基本上垂直于辐射源的光轴的平面内具有细长形状，其中所述辐射源包括：预脉冲激光器，所述预脉冲激光器被配置为提供激光脉冲，所述激光脉冲使燃料液滴膨胀以形成椭圆形形状的燃料标靶或形成具有盘形形状的燃料标靶；两个或更多个激光器，所述两个或更多个激光器被配置为提供在等离子体形成位置处部分重叠的激光束腰部，使得所述燃料标靶转换为在垂直于辐射源的光轴的平面内为椭圆形的发射EUV辐射的等离子体。
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