[发明专利]用于对微观结构进行图案化的方法在审
| 申请号： | 201580005506.4 | 申请日： | 2015-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN106415382A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 穆图·塞巴斯蒂安;迈克尔·W·多尔扎尔 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343;H01L31/18;C09K13/04;G06F3/044 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 王静,丁业平 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于对微观结构的一个或多个部分进行图案化的方法，该微观结构包括挠性基板、设置在基板上的导体和设置在导体上的金属层，其中导体包括第一透明导电氧化物(TCO)层和第二透明导电氧化物(TCO)层以及夹在两个TCO层之间的金属掺杂的氧化硅层的叠层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 微观 结构 进行 图案 方法 | ||
【主权项】：
一种用于对微观结构的一个或多个部分进行图案化的方法，所述微观结构包括挠性基板、设置在所述基板上的导体和设置在所述导体上的金属层，其中所述导体包括第一透明导电氧化物(TCO)层和第二透明导电氧化物(TCO)层以及夹在所述两个TCO层之间的金属掺杂的氧化硅层的叠层，所述方法包括：对所述金属层进行图案化以限定所述金属层的待去除的一个或多个部分；使所述微观结构与金属氯化物蚀刻剂接触，以去除所述金属层的所限定的一个或多个部分，从而暴露下面的所述第一TCO层的一个或多个部分，其中所述第一TCO层的所暴露的一个或多个部分通过所述金属氯化物蚀刻剂被顺序地去除，从而暴露下面的所述掺杂的氧化硅层的一个或多个部分；使所述微观结构与基于碱金属的蚀刻剂接触，以去除所述掺杂的氧化硅层的所暴露的一个或多个部分，从而暴露下面的所述第二TCO层的一个或多个部分，其中所述第二TCO层的所暴露的一个或多个部分通过所述碱金属碱被顺序地去除，从而暴露下面的所述基板的一个或多个部分，其中所述基板包含耐受或基本上耐受由所述基于碱金属的蚀刻剂造成的水解的聚合物或共聚物。
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