[发明专利]太阳能电池光接收表面的钝化有效
| 申请号： | 201580003357.8 | 申请日： | 2015-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN106133916B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 林承笵;吉娜维芙·A·所罗门;迈克尔·C·约翰逊;热罗姆·达蒙-拉科斯特;安托万·玛里·奥利维耶·萨洛蒙 | 申请（专利权）人： | 太阳能公司;道达尔销售服务公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/0745;H01L31/0747 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾丽波;井杰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了太阳能电池光接收表面的钝化方法及所得的太阳能电池。在一个示例中，太阳能电池包括具有光接收表面的硅基板。在硅基板的光接收表面上方设置有本征硅层。在本征硅层上设置有N型硅层。在N型硅层上设置有非导电抗反射涂(ARC)层。在另一个示例中，太阳能电池包括具有光接收表面的硅基板。在硅基板的光接收表面上设置有隧穿介电层。在隧穿介电层上设置有N型硅层。在N型硅层上设置有非导电抗反射涂(ARC)层。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 接收 表面 钝化 | ||
【主权项】：
1.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：在硅基板的光接收表面上形成隧穿介电层；在低于300摄氏度的温度下在所述隧穿介电层上形成本征非晶硅层；在所述本征非晶硅层上形成N型非晶硅层；以及在所述N型非晶硅层上形成抗反射涂层(ARC)。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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