[发明专利]带载体极薄铜箔和使用该带载体极薄铜箔制造的覆铜层压板、印制电路板以及无核基板有效

专利信息
申请号: 201580001218.1 申请日: 2015-01-23
公开(公告)号: CN105378150B 公开(公告)日: 2018-06-22
发明(设计)人: 藤田谅太;宇野岳夫 申请(专利权)人: 古河电气工业株式会社
主分类号: C25D1/22 分类号: C25D1/22;C25D1/04;H05K1/09
代理公司: 北京思益华伦专利代理事务所(普通合伙) 11418 代理人: 郭红丽;常殿国
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种能够简单地调整载体抗撕强度的带载体极薄铜箔。本发明的带载体极薄铜箔(10)是在载体箔(11)上依次层压扩散防止层(12)、剥离层(13)以及极薄铜箔(16)而形成,其特征在于,从未加热的所述带载体极薄铜箔(10)上撕下载体箔(11),并利用俄歇电子分光分析法(AES)对撕下的载体箔(11)的剥离面进行深度方向组成分析时,以Cu、Co、Mo、Ni、Fe、W、Cr、C以及O作为分母时的、距离所述剥离面15nm以内的深度位置处存在的Cu的元素比例的最大值为9at.%~91at.%。
搜索关键词: 极薄铜箔 载体箔 剥离面 撕下 覆铜层压板 扩散防止层 印制电路板 俄歇电子 深度位置 分母 剥离层 层压 分光 加热 分析 制造
【主权项】:
1.一种带载体极薄铜箔,其是在载体箔上依次层压扩散防止层、剥离层以及极薄铜箔而形成,所述带载体极薄铜箔的特征在于,所述剥离层含有Cu,并且由含有选自Mo、W、Fe、Co及Ni的至少一种元素的铜合金构成,从未加热的所述带载体极薄铜箔上撕下载体箔,并利用俄歇电子分光分析法、即AES对撕下的载体箔的剥离面进行深度方向组成分析,以Cu、Co、Mo、Ni、Fe、W、C以及O作为分母时的、距离所述剥离面15nm以内的深度位置处存在的Cu的元素比例的最大值为9at.%~91at.%。
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