[发明专利]带载体极薄铜箔和使用该带载体极薄铜箔制造的覆铜层压板、印制电路板以及无核基板

说明书

本发明提供一种能够简单地调整载体抗撕强度的带载体极薄铜箔。本发明的带载体极薄铜箔(10)是在载体箔(11)上依次层压扩散防止层(12)、剥离层(13)以及极薄铜箔(16)而形成，其特征在于，从未加热的所述带载体极薄铜箔(10)上撕下载体箔(11)，并利用俄歇电子分光分析法(AES)对撕下的载体箔(11)的剥离面进行深度方向组成分析时，以Cu、Co、Mo、Ni、Fe、W、Cr、C以及O作为分母时的、距离所述剥离面15nm以内的深度位置处存在的Cu的元素比例的最大值为9at.％～91at.％。

技术领域

本发明涉及一种带载体极薄铜箔和使用该带载体极薄铜箔制造的覆铜层压板、印制电路板以及无核基板。

背景技术

近年来，半导体封装等中使用的增层基板逐渐被替换为无核基板。随着电子设备的小型化和薄型化的发展，电路板制造商正在研究使用被称为无核基板的可薄型化基板的多层层压板的制造。但是，由于无核基板中不存在支撑配线层的核心层，因而刚性不足，有可能在形成配线层期间出现断裂、翘曲、裂缝等不良情况。因此，正在研究将构成带载体极薄铜箔的载体箔作为支撑体，在极薄铜箔侧层压增层电路板，最后剥除构成带载体极薄铜箔的载体箔而仅取出无核基板的制造工序。

增层基板是在作为支撑体的核心层的两侧层叠微细的配线层(堆积层(build uplayer))，形成高密度的配线。核心层采用使用玻璃环氧树脂等的印制电路板技术，但是，该核心层成为使电气特性劣化的原因。尤其是，贯穿核心层的电镀通孔所具有的较大的电感成分，成为使半导体芯片的电源杂音增大的主要原因。因此，采用不存在该核心层的无核基板的动向正在快速推进。

对于将带载体极薄铜箔作为支撑体的无核基板的具体制造工序进行说明。无核基板通过依次进行图1(a)～(g)所示的工序进行制造。首先，在支撑体用的带载体极薄铜箔3的极薄铜箔2侧粘贴预浸料(prepreg)4(图1(a))。接着，在预浸料4的另一侧表面上，粘贴配线形成用的带载体极薄铜箔7的极薄铜箔6侧(图1(b))。然后，从粘贴的带载体极薄铜箔7上剥离配线形成用载体箔5，将极薄铜箔6蚀刻为规定的配线图案而形成微细配线8(图1(c))。接着，在该微细配线8上再次粘贴预浸料4，由此完成无核基板的第一层(图1(d))。然后，反复实施图1(b)～图1(d)的工序直到形成所需层数的微细配线8为止，由此在作为支撑体的带载体极薄铜箔3上形成无核基板9(图1(e))。然后，剥离支撑体用的带载体极薄铜箔3的载体箔1(图1(f))，最后通过蚀刻等除去露出的极薄铜箔2，由此能够制成无核基板9(图1(g))。

在上述无核基板的制造中，从带载体极薄铜箔3剥离支撑体用载体箔1时的抗撕强度，必须具有在形成(层压)构成无核基板的层时的冲压或蚀刻等制造工序中不会发生剥离程度的粘合性，并且具有在形成(层压)所述层后的后续工序中能够通过机械撕下程度的适当的粘合性。

例如专利文献1和2中公开了带载体铜箔，但并非全部都是打算制造无核基板的铜箔，另外，本发明人等意识到，即使将这些提案直接使用于无核基板的制造中，也有可能发生预料之外的不良情况。例如，专利文献1的目的在于，考虑到制造多层层压板时负载的温度，设定为即使置于300℃～400℃的高温环境中也能够容易地剥离载体箔和极薄铜箔，主要目的在于将剥离界面设为2层，并对包括2层的剥离层的金属比加以规定从而容易剥离。

另外，专利文献2中为了使剥离强度较低，并抑制产生气泡而对构成剥离层的2种金属A和B的含有量进行了规定。

专利文献1和2的提案均是以在制造层压板时负载的高温(300℃～400℃)加热下进行冲压后，仍可将从带载体极薄铜箔撕下载体箔时的抗撕强度维持为较低强度为目的而开发的，在使用这样的载体抗撕强度低的带载体极薄铜箔作为支撑体而制造层压板、尤其是无核基板时，有可能发生下述不良情况，即：因为形成(层压)层时的冲压或蚀刻等制造工序中负载的作用力，而使作为支撑体的载体箔与极薄铜箔之间在层压工序中的非预期阶段中发生剥离。