[实用新型]一种信息存储单元以及只读存储器

摘要

本实用新型公开了一种信息存储单元以及只读存储器，该信息存储单元包括斜切单晶衬底和铁磁性薄膜；所述斜切单晶衬底包括第一晶体轴；所述铁磁性薄膜具有多个磁畴。其中，所述斜切单晶衬底与所述铁磁性薄膜的接触面的法线相对于所述第一晶体轴的偏离方向即为该斜切单晶衬底的斜切偏移方向，该方向为预设方向；该信息存储单元采用所述单晶衬底的斜切偏移方向来控制磁畴壁的排列。基于上述信息存储单元，本实用新型还公开了一种只读存储器的结构。所述信息存储单元以及只读存储器解决了现有阶段存储器受磁场干扰损坏存储信息的问题。

主权项

一种信息存储单元，用于只读存储器，其特征在于，其核心单元从上到下依次包括铁磁性薄膜、斜切单晶衬底；其中，所述斜切单晶衬底的晶格常数小于所述铁磁性薄膜的晶格常数；所述铁磁性薄膜能在所述斜切单晶衬底上外延生长；所述铁磁性薄膜与所述斜切单晶衬底的接触面的法线与所述斜切单晶衬底的第一晶体轴呈预设角度，该预设角度即为所述斜切单晶衬底的斜切角度；所述斜切单晶衬底的第一晶体轴相对于上述铁磁性薄膜与单晶衬底间接触面的法线的偏移方向为预设方向，该偏移方向即为所述斜切单晶衬底的斜切偏移方向；所述铁磁性薄膜由多个磁畴组成，其易磁化轴方向因受衬底应变控制而平行于所述单晶衬底的第一晶体轴方向，并且与所述铁磁性薄膜法线方向的夹角等于所述斜切单晶衬底的斜切角度，同时该易磁化轴相对于所述铁磁性薄膜法线的偏移方向与所述斜切单晶衬底的斜切偏移方向相同；所述铁磁性薄膜的多个磁畴的畴壁与顶膜面交线的近似平行从而在顶膜面上形成近似平行的磁畴壁图案；在无外磁场的影响下，上述交线或上述磁畴壁的排列方向平行于所述斜切单晶衬底斜切的偏移方向；当所述磁畴壁排列方向不同时，所述信息存储单元用于表示的存储状态不同。