[实用新型]一种高可靠性的并口SRAM掉电保存电路有效
| 申请号： | 201521076150.7 | 申请日： | 2015-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN205334140U | 公开（公告）日： | 2016-06-22 |
| 发明（设计）人： | 蔡椿军;王亮 | 申请（专利权）人： | 天津斯巴克瑞汽车电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G05B19/042 | 分类号： | G05B19/042 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 刘昕 |
| 地址： | 300459 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种高可靠性的并口SRAM掉电保存电路，包括SRAM芯片U1、电压监控芯片U2、与非门U3和三极管Q1，所述电压监控芯片U2的第1引脚连接三极管Q1的基极，三极管Q1的发射极接地，三极管Q1的集电极分别与单片机U1的第30引脚和通过电阻R2连接电源Vbat，电压监控芯片U2的第2引脚接地，电压监控芯片U2的第3引脚通过电阻R3连接电源VCC，电压监控芯片U2的第2引脚和第3引脚之间并联电容C3，与非门U3的第1引脚和第2引脚连接输入控制端CS0，与非门U3的第3引脚通过电阻R4连接电压监控芯片U2的第1引脚，与非门U3的第7引脚接地，与非门U3的第14引脚连接电源VCC。本实用新型的有益效果是降低SRAM的静态功耗，能够满足电磁兼容要求高的环境下使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可靠性 并口 sram 掉电 保存 电路 | ||
【主权项】：
一种高可靠性的并口SRAM掉电保存电路，其特征在于：包括SRAM芯片U1、电压监控芯片U2、与非门U3和三极管Q1，所述电压监控芯片U2的第1引脚连接三极管Q1的基极，三极管Q1的发射极接地，三极管Q1的集电极分别与单片机U1的第30引脚和通过电阻R2连接电源Vbat，电压监控芯片U2的第2引脚接地，电压监控芯片U2的第3引脚通过电阻R3连接电源VCC，电压监控芯片U2的第2引脚和第3引脚之间并联电容C3，与非门U3的第1引脚和第2引脚连接输入控制端CS0，与非门U3的第3引脚通过电阻R4连接电压监控芯片U2的第1引脚，与非门U3的第7引脚接地，与非门U3的第14引脚连接电源VCC。
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