[实用新型]垂直法单晶生长用坩锅有效

专利信息
申请号: 201521067866.0 申请日: 2015-12-21
公开(公告)号: CN205275773U 公开(公告)日: 2016-06-01
发明(设计)人: 郑安生;于洪国;刘春雷;马英俊;林泉;刘晓慧 申请(专利权)人: 有研光电新材料有限责任公司
主分类号: C30B11/00 分类号: C30B11/00;C30B13/14
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人: 刘秀青;熊国裕
地址: 065001 *** 国省代码: 河北;13
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摘要: 实用新型公开了一种垂直法单晶生长用坩锅,该坩锅自上向下依次为等径部分、放肩部分和籽晶腔部分,籽晶腔部分的下端封闭;等径部分和籽晶腔部分为圆柱形,放肩部分为锥形。所述籽晶腔部分长度为60±2mm,内径为16+0.1mm,壁厚为3±0.2mm;放肩部分长度为50±2mm,壁厚为3±0.2mm;等径部分长度为200±2mm,内径为106±2mm,壁厚为3±0.2mm。本实用新型在传统坩锅基础上进行了尺寸和结构形状的改进优化,可生长4英寸的单晶,有效降低了单晶的位错密度,提高了单晶质量,增加了单晶的有效利用率和合格率,降低了生产成本。
搜索关键词: 垂直 法单晶 生长 用坩锅
【主权项】:
一种垂直法单晶生长用坩锅,其特征在于,该坩锅自上向下依次为等径部分、放肩部分和籽晶腔部分,籽晶腔部分的下端封闭;等径部分和籽晶腔部分为圆柱形,放肩部分为锥形。
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