[实用新型]垂直法单晶生长用坩锅有效
申请号: | 201521067866.0 | 申请日: | 2015-12-21 |
公开(公告)号: | CN205275773U | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 郑安生;于洪国;刘春雷;马英俊;林泉;刘晓慧 | 申请(专利权)人: | 有研光电新材料有限责任公司 |
主分类号: | C30B11/00 | 分类号: | C30B11/00;C30B13/14 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 刘秀青;熊国裕 |
地址: | 065001 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种垂直法单晶生长用坩锅,该坩锅自上向下依次为等径部分、放肩部分和籽晶腔部分,籽晶腔部分的下端封闭;等径部分和籽晶腔部分为圆柱形,放肩部分为锥形。所述籽晶腔部分长度为60±2mm,内径为16+0.1mm,壁厚为3±0.2mm;放肩部分长度为50±2mm,壁厚为3±0.2mm;等径部分长度为200±2mm,内径为106±2mm,壁厚为3±0.2mm。本实用新型在传统坩锅基础上进行了尺寸和结构形状的改进优化,可生长4英寸的单晶,有效降低了单晶的位错密度,提高了单晶质量,增加了单晶的有效利用率和合格率,降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 垂直 法单晶 生长 用坩锅 | ||
【主权项】:
一种垂直法单晶生长用坩锅,其特征在于,该坩锅自上向下依次为等径部分、放肩部分和籽晶腔部分,籽晶腔部分的下端封闭;等径部分和籽晶腔部分为圆柱形,放肩部分为锥形。
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