[实用新型]射频信号功率放大器和射频信号传输装置有效

专利信息
申请号: 201520967107.3 申请日: 2015-11-27
公开(公告)号: CN205545160U 公开(公告)日: 2016-08-31
发明(设计)人: M·艾罗 申请(专利权)人: 意法半导体(格勒诺布尔2)公司
主分类号: H03F1/30 分类号: H03F1/30;H03F3/20;H03F3/189
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;董典红
地址: 法国格*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 本申请涉及射频信号功率放大器和射频信号传输装置。提供一种RF放大器,包括支路,该支路具有在第一和第二供电节点之间与电容器串联连接的电感器,在电感器和电容器之间的连接点形成输出节点。另一支路包括在输出节点和第二供电节点之间与开关串联连接的MOS晶体管。开关具有被耦合以接收第一输入信号的控制节点。MOS晶体管具有被耦合以接收第二输入信号的栅极。当施加经频率/相位调制的信号作为第一输入信号时,控制电路施加供电电压作为第二输入信号。当施加恒定频率、相位和幅度的射频信号作为第一输入信号时,控制电路还施加可变信号作为第二输入信号,并且在此模式中,MOS晶体管被限制成作为电流源操作。由此提供改进的射频信号功率放大机制。
搜索关键词: 射频 信号 功率放大器 传输 装置
【主权项】:
一种射频信号功率放大器,其特征在于,包括:第一支路,所述第一支路包括在施加直流供电电压的第一节点和第二节点之间与第一电容器串联连接的电感器,其中,所述电感器和所述第一电容器的连接点形成被配置成耦合至负载的所述放大器的输出节点;第二支路,所述第二支路包括在所述输出节点和所述第二节点之间与第一开关串联连接的第一MOS晶体管,所述第一开关具有耦合至被配置成接收第一输入信号的第一输入节点的控制节点,所述第一MOS晶体管具有耦合至被配置成接收第二输入信号的第二输入节点的栅极;以及电路,所述电路被配置成产生二进制信号,所述二进制信号表示在所述第一MOS晶体管的漏源电压和所述第一MOS晶体管的栅源电压与阈值电压之差之间的差的符号。
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