[实用新型]一种氮化镓传感器和多传感器系统有效
| 申请号： | 201520964479.0 | 申请日： | 2015-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN205193005U | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 艾莉娜·耶尔沃利诺;法比奥·圣阿加塔;董明智;张国旗;王小葵 | 申请（专利权）人： | 北京代尔夫特电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 北京煦润律师事务所 11522 | 代理人： | 周倩 |
| 地址： | 101300 北京市顺*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种氮化镓传感器和多传感器系统，该传感器包括：异质半导体衬底，以及位于其上的III族氮化物基HEMT结构的晶体管；其中，所述晶体管的源极和漏极金属均设置在晶体管顶层的半导体之上，栅极表面具有经功能化处理得到的功能化膜，源极和漏极之间裸露的栅极区域形成传感区域；通过检测所述传感区域的电流变化，实现对与所述传感区域接触的待检测物的浓度检测。本实用新型的方案，可以克服现有技术中灵敏度低、检测范围小和便携性差等缺陷，实现灵敏度高、检测范围大和便携性好的有益效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 传感器 系统 | ||
【主权项】：
一种氮化镓传感器，其特征在于，包括：异质半导体衬底，以及位于其上的III族氮化物基HEMT结构的晶体管；其中，所述晶体管的源极和漏极金属均设置在晶体管顶层的半导体之上，栅极表面具有经功能化处理得到的功能化膜，源极和漏极之间裸露的栅极区域形成传感区域；通过检测所述传感区域的电流变化，实现对与所述传感区域接触的待检测物的浓度检测。
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