[实用新型]低温多晶硅薄膜晶体管、阵列基板、显示面板有效
| 申请号： | 201520875410.0 | 申请日： | 2015-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN205092247U | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 张帅;詹裕程 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 陈俊;景军平 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及显示技术领域，并公开一种低温多晶硅薄膜晶体管、阵列基板和显示面板。该低温多晶硅薄膜晶体管包括：包括设置在衬底上的有源层、源极、漏极、栅极、位于所述有源层和所述栅极之间的栅极绝缘层、以及设置在所述有源层和所述栅极绝缘层之间的氧化石墨烯层。通过在有源层和栅极绝缘层之间设置氧化石墨烯层，降低多晶硅有源层和栅极绝缘层之间界面粗糙度和界面缺陷态密度，并且不需要进行栅极绝缘层预清洗工艺。还公开了包括该多晶硅薄膜晶体管的阵列基板和显示面板。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜晶体管 阵列 显示 面板 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅薄膜晶体管，包括设置在衬底上的有源层、源极、漏极、栅极以及位于所述有源层和所述栅极之间的栅极绝缘层，其特征在于，所述低温多晶硅薄膜晶体管还包括设置在所述有源层和所述栅极绝缘层之间的氧化石墨烯层。
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