[实用新型]砷化镓太阳能电池有效
申请号: | 201520653682.6 | 申请日: | 2015-08-27 |
公开(公告)号: | CN204885198U | 公开(公告)日: | 2015-12-16 |
发明(设计)人: | 李云 | 申请(专利权)人: | 河北英沃泰电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0693 | 分类号: | H01L31/0693;H01L31/0687;H01L31/0216 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 陆林生 |
地址: | 050200 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种砷化镓太阳能电池,涉及太阳能电池技术领域。所述太阳能电池自下而上分别为衬底层、第一电池结、第一隧道结、第二电池结、第二隧道结、第三电池结、第N隧道结、第N+1电池结,依次类推以及接触层,电池结之间通过隧道结进行连通,其中N为大于2的自然数;接触层的上表面为欧姆接触金属层,欧姆接触金属层的周围为减反射膜,衬底的下表面为背面金属化层,背面金属化层的下表面为铜基板层。所述太阳能电池具有厚度薄,柔性好,散热好,光电转换效率高,牢固可靠的特点。 | ||
搜索关键词: | 砷化镓 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种砷化镓太阳能电池,其特征在于:自下而上分别为衬底层(1)、第一电池结(2)、第一隧道结(3)、第二电池结(4)、第二隧道结(5)、第三电池结(6)、第N隧道结、第N+1电池结,依次类推以及接触层(7),电池结之间通过隧道结进行连通,其中N为大于2的自然数;接触层(7)的上表面为欧姆接触金属层(8),欧姆接触金属层(8)的周围为减反射膜(9),衬底(1)的下表面为背面金属化层(10),背面金属化层(10)的下表面为铜基板层(11)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的