[实用新型]太阳能电池减反膜结构有效
申请号: | 201520611478.8 | 申请日: | 2015-08-13 |
公开(公告)号: | CN204857736U | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
发明(设计)人: | 於龙;刘林华;徐东升;梅晓东;石兆春;范琼;董静文;孙月新;高春雨 | 申请(专利权)人: | 无锡德鑫太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 214028 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种太阳能电池减反膜结构,由下至上依次包括P型硅、发射极和介质层,所述P型硅下表面附着有Al背场;在所述介质层上方分布有电极,其中,该介质层包括SiNx膜以及位于所述SiNx膜上方的SiONx膜;这种减反射钝化膜,能有效地提高表面钝化效果,提高太阳电池的转换效率,该结构能有效地降低电池对光的反射率,进而提升太阳能电池的短路电流,提高电池的电性能。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 膜结构 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池减反膜结构,其特征在于:由下至上依次包括P型硅(2)、发射极(3)和介质层,所述P型硅下表面附着有Al背场(1);在所述介质层上方分布有电极(6),其中,该介质层包括SiNx膜(4)以及位于所述SiNx膜(4)上方的SiONx膜(5)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡德鑫太阳能电力有限公司,未经无锡德鑫太阳能电力有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520611478.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的