[实用新型]一种太阳能电池的背面电极结构有效
| 申请号： | 201520583619.X | 申请日： | 2015-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN204857738U | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 周彬;费正洪;衡阳 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人： | 陆金星 |
| 地址： | 215129 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种太阳能电池的背面电极结构，包括背电极；所述背电极上设有复数个凹槽；所述凹槽的面积为2800~8000平方微米；相邻凹槽之间的间距为100~500微米；所述凹槽离背电极边缘的距离为500~1000mm；所述凹槽的总面积占该背电极面积的2~15%。本实用新型通过在背电极上设置多个小面积的凹槽，在焊接时电极熔融可将凹槽填平，增大了焊带与背极的焊接面积，提高焊接拉力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 背面 电极 结构 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池的背面电极结构，包括背电极；其特征在于：所述背电极上设有复数个凹槽(1)；所述凹槽的面积为2800~8000 平方微米；相邻凹槽之间的间距为100~500微米；所述凹槽离背电极边缘的距离为500~1000 mm；所述凹槽的总面积占该背电极面积的2~15%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司，未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201520583619.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种光伏发电用二极管
- 下一篇：晶闸管投切开关的爪式散热机构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
