[实用新型]一种DV/DT检测与保护装置有效
| 申请号： | 201520554345.1 | 申请日： | 2015-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN204810134U | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 金学成;潘建斌 | 申请（专利权）人： | 周海波 |
| 主分类号： | H02M1/088 | 分类号： | H02M1/088 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 任立 |
| 地址： | 210011 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种DV/DT检测与保护装置，包括：DV/DT检测电路，用于检测DV/DT的电压变化量；该电路包括若干个高压MOS管、电阻、箝位二极管及寄生电容，其中高压MOS管栅端接入输入信号，该高压MOS管的漏端连接电阻且源端接公共地；所述电阻的两端连接箝位二极管；所述寄生电容连接于高压MOS管的漏端和源端之间；DV/DT比较电路，与DV/DT检测电路相连，用于根据所述电压变化量确定电压变化量所属DV/DT级别，及配置用于控制输出驱动调整电路工作模式的信号；输出驱动调整电路，用于根据控制信号调整及输出驱动能力。本实用新型电路实现方式简单，可靠性和集成度高，不需要额外的外围器件，适用于桥式电路、智能功率模块等各种应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dv dt 检测 保护装置 | ||
【主权项】：
一种DV/DT检测与保护装置，其特征在于，包括：DV/DT检测电路，用于检测DV/DT的电压变化量；该电路包括若干个高压MOS管、电阻、箝位二极管及寄生电容，其中高压MOS管的栅端接入输入信号，该高压MOS管的漏端连接电阻且源端接公共地；所述电阻的两端连接箝位二极管；所述寄生电容连接于高压MOS管的漏端和源端之间；DV/DT比较电路，与DV/DT检测电路相连，用于根据所述电压变化量确定电压变化量所属DV/DT级别，及根据DV/DT级别配置用于控制输出驱动调整电路工作模式的信号；输出驱动调整电路，与DV/DT比较电路相连，用于根据控制信号配置工作模式及输出驱动能力。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
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H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
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H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
