[实用新型]电流源有效
| 申请号： | 201520489495.9 | 申请日： | 2015-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN204808091U | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 沈孙园 | 申请（专利权）人： | 杭州宽福科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310053 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种电流源。电流源包括第一运算放大器、第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 | ||
【主权项】：
电流源，其特征在于：包括第一运算放大器、第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管；所述第一运算放大器的正输入端接基准电压VREF，负输入端接所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的漏极，输出端接所述第一NMOS管的栅极；所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第一NMOS管的栅极接所述第一运算放大器的输出端，漏极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极，源极接所述第一运算放大器的负输入端和所述第二NMOS管的漏极；所述第二NMOS管的栅极接所述第二PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的栅极，漏极接所述第一NMOS管的源极和所述第一运算放大器的负输入端，源极接地；所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第一NMOS管的漏极，漏极接所述第二NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第三NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第二NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极，源极接地；所述第四NMOS管的栅极接所述第二NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的漏极，漏极作为电流输出端IOUT，源极接地。
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