[实用新型]一种硅电容麦克风有效
| 申请号： | 201520430620.9 | 申请日： | 2015-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN204697294U | 公开（公告）日： | 2015-10-07 |
| 发明（设计）人： | 万蔡辛;杨少军 | 申请（专利权）人： | 北京卓锐微技术有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨;陈士骞 |
| 地址： | 100191 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种硅电容麦克风，其包括：基底；振膜，设置在所述基底的上方，该振膜边缘带有支撑梁结构；穿孔背极，该穿孔背极设置在所述振膜的上方并支撑在所述基底上；以及位于振膜与穿孔背极之间的空气间隙，其中，穿孔背极覆盖所述的振膜所带的支撑梁结构上方至少50％区域。所述的硅电容麦克风可以将设置在支撑梁结构上方至少50％区域的穿孔背极材料作为保护结构，防止在使用过程中由于跌落或大气流通过而造成的支撑梁失效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 麦克风 | ||
【主权项】：
一种硅电容麦克风，其特征在于，包括：基底；振膜，设置在所述基底的上方，该振膜边缘带有支撑梁结构；穿孔背极，该穿孔背极设置在所述振膜的上方并支撑在所述基底上；以及位于所述振膜与所述穿孔背极之间的空气间隙，其中，所述穿孔背极覆盖所述振膜所带的支撑梁结构上方至少50％区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京卓锐微技术有限公司，未经北京卓锐微技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201520430620.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
