[实用新型]具有高灵敏度的新型温敏元件有效
| 申请号： | 201520387350.8 | 申请日： | 2015-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN204732453U | 公开（公告）日： | 2015-10-28 |
| 发明（设计）人： | 孙英达;付云鹏 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨技术进出口公司 |
| 主分类号： | H01L35/00 | 分类号： | H01L35/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨东方专利事务所 23118 | 代理人： | 陈晓光 |
| 地址： | 150090 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有高灵敏度的新型温敏元件。为适应仪器仪表和电子系统向小型化、微型化发展，该温敏元件特别适合在微小空间内安装使用。一种具有高灵敏度的新型温敏元件，其组成包括：P型区和N型区、上电极和下电极四层结构，所述的N型区（1）由掺磷的N型高阻硅单晶作为衬底，所述的P型区（2）以铝作掺杂源经扩散而形成，并从N面扩散金或铂，且扩透整个P型区，所述的上电极（3）和下电极（4）可采用镍，或金用以形成欧姆接触。本实用新型发明具有高灵敏度的新型温敏元件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 灵敏度 新型 元件 | ||
【主权项】：
一种具有高灵敏度的新型温敏元件，其组成包括：P型区和N型区、上电极和下电极四层结构，其特征是：所述的N型区由掺磷的N型高阻硅单晶作为衬底，所述的P型区以铝作掺杂源经扩散而形成，并从N面扩散金或铂，且扩透整个P型区，所述的上电极和下电极可采用镍，或金用以形成欧姆接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨技术进出口公司，未经哈尔滨技术进出口公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201520387350.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：防爆电池箱
- 下一篇：波长转换装置、光源装置及投影系统
