[实用新型]一种晶体硅太阳电池有效
| 申请号： | 201520240093.5 | 申请日： | 2015-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN204668318U | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 高云峰;刘成法;刘超;张松;徐大超;王鹏磊;季海晨 | 申请（专利权）人： | 上海大族新能源科技有限公司;大族激光科技产业集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/028 | 分类号： | H01L31/028;H01L31/06;H01L21/76 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 徐雯琼;尹兵 |
| 地址： | 201114 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型一种晶体硅太阳电池，包含：第一导电类型的晶体硅层；覆盖第一导电类型的晶体硅层正面及侧壁的第二导电类型的晶体硅层；减反射膜层，覆盖位于第一导电类型的晶体硅层正面的第二导电类型的晶体硅层；金属电极，位于减反射膜层，与第二导电类型的晶体硅层电连接；金属背电极，覆盖第一导电类型的晶体硅层的背面，并与第一导电类型的晶体硅层电连接；隔离槽，环绕设置在位于第一导电类型的晶体硅层侧壁的第二导电类型的晶体硅层。本实用新型实现对常规太阳电池及N型双面电池等特殊电池的PN结隔离，降低太阳电池的因有效面积损失而带来的效率损失，使太阳电池的效率损失降低到0.1%abs及以下。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳电池 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳电池，其特征在于，包含：第一导电类型的晶体硅层；覆盖所述第一导电类型的晶体硅层正面及侧壁的第二导电类型的晶体硅层；减反射膜层，覆盖位于第一导电类型的晶体硅层正面的第二导电类型的晶体硅层；金属电极，位于减反射膜层，与所述第二导电类型的晶体硅层电连接；金属背电极，覆盖第一导电类型的晶体硅层的背面，并与第一导电类型的晶体硅层电连接；隔离槽，环绕设置在位于第一导电类型的晶体硅层侧壁的第二导电类型的晶体硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
