[实用新型]一种基于石墨烯的太赫兹调谐器件有效
| 申请号： | 201520223525.1 | 申请日： | 2015-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN204441426U | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 姬广举;张昊;张凌睿;李珊;刘佳宝;林博伦;张景云;吴丰民 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | H01P1/00 | 分类号： | H01P1/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 牟永林 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种基于石墨烯的太赫兹调谐器件。本实用新型涉及一种基于石墨烯的太赫兹调谐器件。本实用新型是为解决现有的太赫兹超材料调谐器存在调谐频率单一、调谐深度较小的问题。一种基于石墨烯的太赫兹调谐器件由衬底、绝缘介质层和开口谐振环结构石墨烯层组成，所述衬底水平设置在最下层，所述绝缘介质层平行设置在衬底的上表面上，所述开口谐振环结构石墨烯层平行设置在绝缘介质层的上表面的中间位置。本实用新型用于太赫兹通讯领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 石墨 赫兹 调谐 器件 | ||
【主权项】：
一种基于石墨烯的太赫兹调谐器件，其特征在于基于石墨烯的太赫兹调谐器件由衬底(1)、绝缘介质层(2)和开口谐振环结构石墨烯层(3)组成，所述衬底(1)水平设置在最下层，所述绝缘介质层(2)平行设置在衬底(1)的上表面上，所述开口谐振环结构石墨烯层(3)平行设置在绝缘介质层(2)的上表面的中间位置；所述开口谐振环结构石墨烯层(3)的上表面和下表面形状相同，所述开口谐振环结构石墨烯层(3)的厚度为0.34μm，所述开口谐振环结构石墨烯层(3)的上表面由上边(4)、中柱(5)、下边(6)、第一开口边(7)、第二开口边(8)、第三开口边(9)、第四开口边(10)、第一凸起(11)、第二凸起(12)、第三凸起(13)和第四凸起(14)组成；所述中柱(5)垂直设置在上边(4)和下边(6)的中间位置；所述第二开口边(8)垂直且向上设置在下边(6)的左端；所述第四开口边(10)垂直且向上设置在下边(6)的右端；所述第一开口边(7)垂直设置在上边(4)的下面，且与第二开口边(8)相对称；所述第三开口边(9)垂直设置在上边(4)的下面，且与第四开口边(10)相对称；所述第一凸起(11)设置在第一开口边(7)的下端部外侧，第二凸起(12)设置在第二开口边(8)的上端部外侧，第三凸起(13)设置在第三开口边(9)的下端部外侧，第四凸起(14)设置在第四开口边(10)的上端部外侧。
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