[实用新型]一种基于石墨烯的太赫兹调谐器件

权利要求书

1.一种基于石墨烯的太赫兹调谐器件，其特征在于基于石墨烯的太赫兹调谐器件由衬底(1)、绝缘介质层(2)和开口谐振环结构石墨烯层(3)组成，所述衬底(1)水平设置在最下层，所述绝缘介质层(2)平行设置在衬底(1)的上表面上，所述开口谐振环结构石墨烯层(3)平行设置在绝缘介质层(2)的上表面的中间位置；所述开口谐振环结构石墨烯层(3)的上表面和下表面形状相同，所述开口谐振环结构石墨烯层(3)的厚度为0.34μm，所述开口谐振环结构石墨烯层(3)的上表面由上边(4)、中柱(5)、下边(6)、第一开口边(7)、第二开口边(8)、第三开口边(9)、第四开口边(10)、第一凸起(11)、第二凸起(12)、第三凸起(13)和第四凸起(14)组成；所述中柱(5)垂直设置在上边(4)和下边(6)的中间位置；所述第二开口边(8)垂直且向上设置在下边(6)的左端；所述第四开口边(10)垂直且向上设置在下边(6)的右端；所述第一开口边(7)垂直设置在上边(4)的下面，且与第二开口边(8)相对称；所述第三开口边(9)垂直设置在上边(4)的下面，且与第四开口边(10)相对称；所述第一凸起(11)设置在第一开口边(7)的下端部外侧，第二凸起(12)设置在第二开口边(8)的上端部外侧，第三凸起(13)设置在第三开口边(9)的下端部外侧，第四凸起(14)设置在第四开口边(10)的上端部外侧。

2.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的太赫兹调谐器件，其特征在于所述衬底(1)为厚度为500μm的正方形高阻硅板，其边长为50μm；所述正方形高阻硅板的电阻率大于10000，介电常数为11.9。

3.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的太赫兹调谐器件，其特征在于所述绝缘介质层(2)是厚度为3μm的正方形二氧化硅板，其边长为50μm；所述正方形二氧化硅板的介电常数为2.88。

4.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的太赫兹调谐器件，其特征在于所述上边(4)的长度为50μm，宽度为4μm。

5.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的太赫兹调谐器件，其特征在于所述中柱(5)的长度为36μm，宽度为4μm。

6.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的太赫兹调谐器件，其特征在于所述下边(6)的长度为36μm，宽度为4μm。

7.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的太赫兹调谐器件，其特征在于所述第一开口边(7)、第二开口边(8)、第三开口边(9)和第四开口边(10)的长度均为15μm，宽度均为4μm。

8.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的太赫兹调谐器件，其特征在于所述第一凸起(11)、第二凸起(12)、第三凸起(13)和第四凸起(14)的长度均为4μm，宽度均为2μm。