[发明专利]一种超导电路结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201511028259.8 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105633268B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 应利良;熊伟;张露;孔祥燕;任洁;王镇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24;H01L39/02;H01L39/22 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种超导电路结构及其制备方法，包括：1）提供衬底，在衬底表面对应于后续要形成约瑟夫森结的位置形成应力图案结构，应力图案结构的尺寸大于约瑟夫森结的尺寸；2）在衬底表面依次形成第一超导材料层、第一绝缘材料层及第二超导材料层的三层薄膜结构；3）刻蚀三层薄膜结构以形成底电极及约瑟夫森结；4）在步骤3）得到的结构表面形成第二绝缘材料层，并在第二绝缘材料层对应于约瑟夫森结的位置形成第一开口；5）沉积第三超导材料层，并刻蚀第三超导材料层形成配线层。通过在约瑟夫森结下方形成尺寸比约瑟夫森结尺寸大的应力图案结构，有利于约瑟夫森结中应力的有效释放，从而解决了漏电流，提高了超导电路结构的性能及稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超导 电路 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超导电路结构的制备方法，其特征在于，所述超导电路结构的制备方法包括以下步骤：1)提供衬底，在所述衬底表面形成金属层，并刻蚀所述金属层，以在所述衬底表面对应于后续要形成约瑟夫森结的位置形成应力图案结构，所述应力图案结构的尺寸大于后续要形成的约瑟夫森结的尺寸，同时形成旁路电阻，所述旁路电阻与所述应力图案结构相隔一定的间距；2)在所述衬底表面依次形成第一超导材料层、第一绝缘材料层及第二超导材料层的三层薄膜结构，所述三层薄膜结构包覆所述应力图案结构；3)刻蚀所述三层薄膜结构以形成底电极及约瑟夫森结；4)在步骤3)得到的结构表面形成第二绝缘材料层，并在所述第二绝缘材料层对应于所述约瑟夫森结的位置形成第一开口，所述第一开口暴露出所述约瑟夫森结；5)沉积第三超导材料层，并刻蚀所述第三超导材料层形成配线层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201511028259.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
