[发明专利]一种负温度系数SiC热敏陶瓷及其制备方法在审
申请号: | 201511025901.7 | 申请日: | 2015-12-30 |
公开(公告)号: | CN105645961A | 公开(公告)日: | 2016-06-08 |
发明(设计)人: | 陈健;黄政仁;刘学建;陈忠明;姚秀敏;袁明;朱云洲;刘岩 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C04B35/565 | 分类号: | C04B35/565;C04B41/88 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;郑优丽 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种负温度系数SiC热敏陶瓷及其制备方法,所述负温度系数SiC热敏陶瓷由碳化硅和固相烧结过程中原位复合的碳组成,所述碳在所述负温度系数SiC热敏陶瓷的重量百分含量为3~6wt%,所述负温度系数SiC热敏陶瓷热敏感指数β为:20℃-80℃下为6000K-10000K,80℃-220℃下为2000K-3000K,220℃-400℃下为10000K-15000K。本发明提供了一种高导热,高耐腐蚀性负温度系数(negative temperature coefficient)NTC碳化硅(SiC)热敏陶瓷,经测试该陶瓷材料具有负温度系数热敏特性,随着温度的升高电阻率降低;在一定电场强度下测定,在温度20℃-400℃之间变化时,电阻率在5-106Ωcm变化。 | ||
搜索关键词: | 一种 温度 系数 sic 热敏 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种负温度系数SiC热敏陶瓷,其特征在于,所述负温度系数SiC热敏陶瓷由碳化硅和固相烧结过程中原位复合的碳组成,所述碳在所述负温度系数SiC热敏陶瓷的重量百分含量为3~6wt%,所述负温度系数SiC热敏陶瓷热敏感指数β为:20℃‑80℃下为6000K‑10000K,80℃‑220℃下为2000K‑3000K,220℃‑400℃下为10000K‑15000K。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所,未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201511025901.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:耐火修补料
- 下一篇:一种小损耗超高压陶瓷电容器用介质材料