[发明专利]高密度电阻性随机存取存储器（RRAM）

摘要

一种电阻性随机存取存储器(RRAM)结构形成于支撑衬底上并且包括第一电极和第二电极。该第一电极是由在该支撑衬底上的硅化物化的鳍以及覆盖该硅化物化的鳍的第一金属内衬层制成的。具有可配置的电阻性质的电介质材料层覆盖该第一金属内衬层的至少一部分。该第二电极是由覆盖该电介质材料层的第二金属内衬层以及与该第二金属内衬层相接触的金属填充物制成的。非易失性存储器单元包括电连接于存取晶体管与位线之间的RRAM结构。

主权项

1.一种非易失性集成电路存储器单元，包括：支撑衬底；电阻性随机存取存储器结构，所述电阻性随机存取存储器结构包括：第一电极，所述第一电极包括：在所述支撑衬底上的硅化物化的半导体鳍；以及覆盖所述硅化物化的半导体鳍的第一金属内衬层；电介质材料层，所述电介质材料层具有可配置的电阻性质并且覆盖所述第一金属内衬层的至少一部分；以及第二电极，所述第二电极包括：覆盖所述电介质材料层的第二金属内衬层；以及与所述第二金属内衬层相接触的金属填充物；晶体管，所述晶体管具有连接至所述第一电极和所述第二电极之一的第一源漏端子；源极线，所述源极线连接至所述晶体管的第二源漏端子；字线，所述字线连接至所述晶体管的栅极端子；以及位线，所述位线连接至所述第一电极和所述第二电极中的另一个。