[发明专利]非晶硅太阳能电池复合p1层及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201511019718.6 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105428428A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 李沅民;何颜玲;彭长涛;许永元;沈章大;兰邦银 | 申请（专利权）人： | 福建铂阳精工设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/20;C23C16/44;C23C16/52 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建省泉*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明属于太阳能光伏电池领域，具体涉及一种非晶硅太阳能电池复合p1层及其制备方法和应用。本发明非晶硅太阳能电池复合p1层的制备方法，该制备方法具体为：在TCO玻璃上，依次交替沉积摻杂的SiOx和不摻杂的SiC，交替沉积2～5次，沉积总层数为4～10层。本发明非晶硅太阳能电池复合p1层的制备方法简单，将摻杂的SiOx和SiC交替沉积后，得到的复合p1层不但可以使单双节非晶硅太阳能电池初始功率得到提高，衰减率降低，还使得电池具有较高的稳定功率，其应用范围广，可以大规模应用于光伏产品中。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶硅 太阳能电池 复合 p1 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
非晶硅太阳能电池复合p1层的制备方法，其特征在于：在TCO玻璃上，依次交替沉积摻杂的SiOx和不摻杂的SiC，交替沉积2～5次，沉积总层数为4～10层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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