[发明专利]一种提高钕铁硼磁体矫顽力的方法在审
申请号: | 201511018092.7 | 申请日: | 2015-12-29 |
公开(公告)号: | CN105489369A | 公开(公告)日: | 2016-04-13 |
发明(设计)人: | 洪群峰;郝忠彬;章晓峰;黎龙贵 | 申请(专利权)人: | 浙江东阳东磁稀土有限公司 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;H01F1/057;C23C14/58 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 322118 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种提高钕铁硼磁体矫顽力的方法。它具体操作步骤如下:将钕铁硼磁体切成薄片;去除钕铁硼表面的氧化皮后烘干;利用蒸镀的方法在钕铁硼表面附上一层金属;将蒸镀后的钕铁硼在800~950℃条件下真空渗透处理;然后在400~600℃的条件下真空时效处理。本发明的有益效果是:磁体的矫顽力大大提高,剩磁基本不变,磁能积因为矫顽力和方形度的提高而提高;对比传统方法制造同等矫顽力的钕铁硼磁体,在保证磁体具有高矫顽力的前提下,大大降低烧结钕铁硼中重稀土的添加量,节约了成本、减少了资源的浪费。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 钕铁硼 磁体 矫顽力 方法 | ||
【主权项】:
一种提高钕铁硼磁体矫顽力的方法,其特征是,具体操作步骤如下:(1)将钕铁硼磁体切成薄片;(2)去除钕铁硼表面的氧化皮后烘干;(3)利用蒸镀的方法在钕铁硼表面附上一层重稀土金属;(4)将蒸镀后的钕铁硼在800~950℃条件下真空渗透处理;(5)然后在400~600℃的条件下真空时效处理。
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