[发明专利]一种铜锌锡硫靶材的制备方法在审
| 申请号： | 201510984086.0 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105821376A | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 郝瑞亭;刘思佳;任洋;赵其琛;王书荣 | 申请（专利权）人： | 云南师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35;H01L31/032;H01L21/363 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650500 云南省昆明市呈*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明制备一种铜锌锡硫薄膜太阳电池吸收层靶材，其特征在于，所述靶材中Cu：Zn：Sn：S的摩尔配比为2：1：1：4，其中，所述靶材为Cu2ZnSnS4相。本发明还提供所述靶材的制备方法，以及所述靶材在制备薄膜太阳电池吸收层中的应用，通过磁控溅射可直接制备得到Cu2ZnSnS4薄膜。本发明工艺简单、成本低、制成的靶材组分均匀、致密性好，为磁控溅射制备Cu2ZnSnS4薄膜太阳电池吸收层奠定基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜锌锡硫靶材 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铜锌锡硫靶材的制备方法，其特征在于，所述靶材中Cu：Zn：Sn：S的摩尔配比为2：1：1：4，其中，所述靶材为Cu2ZnSnS4相。
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