[发明专利]高掺杂多谱带激发稀土上转换荧光纳米材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201510967964.8 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN105419801A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 涂浪平;佐婧;刘晓敏;孔祥贵;张友林;常钰磊;薛彬 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | C09K11/85 | 分类号： | C09K11/85 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 李外 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高掺杂多谱带激发稀土上转换荧光纳米材料及其制备方法，属于发光材料结构设计及其制备技术领域。解决现有的上转换荧光材料中的稀土发光中心离子掺杂浓度低且发光效率低的问题。该材料以NaYF4、NaGdF4或NaLuF4为基质，掺杂稀土发光中心离子，具有纳米晶微观形态，在纳米核结构外包覆惰性壳结构；所述稀土发光中心离子为Er3+，掺杂浓度为20％-100％。本发明还提供一种高掺杂多谱带激发稀土上转换荧光纳米材料的制备方法。本发明的纳米材料可以在800nm、980nm、1530nm三个激发波长下实现近单色上转换发光，Er3+单掺的最佳掺杂浓度提高至100％。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 多谱带 激发 稀土 转换 荧光 纳米 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高掺杂多谱带激发稀土上转换荧光纳米材料，其特征在于，该材料以NaYF4、NaGdF4或NaLuF4为基质，掺杂稀土发光中心离子，具有纳米晶微观形态，在纳米核结构外包覆惰性壳结构；所述稀土发光中心离子为Er3+，掺杂浓度为20％‑100％。
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