[发明专利]一种用氯化铋制备硒化铋热电薄膜的方法在审
申请号: | 201510943182.0 | 申请日: | 2015-12-17 |
公开(公告)号: | CN105552205A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 李静;刘科高;刘慧;徐勇;石磊 | 申请(专利权)人: | 山东建筑大学 |
主分类号: | H01L35/34 | 分类号: | H01L35/34;C25D9/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 250101 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: |
一种用氯化铋制备硒化铋热电薄膜的方法,属于热电薄膜材料制备技术领域,本发明通过如下步骤得到,首先清洗二氧化锡导电玻璃基片,然后将BiCl |
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搜索关键词: | 一种 氯化 制备 硒化铋 热电 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用氯化铋制备硒化铋热电薄膜的方法,采用如下顺序的步骤:a. 二氧化锡导电玻璃基片的清洗:步骤a所述清洗,是将导电玻璃基片大小为20mm×20mm,放入体积比丙酮:蒸馏水=5:1的溶液中,超声波清洗30min;再将基片放入乙醇中,超声波清洗30min;再在蒸馏水中将玻璃基片用超声振荡30min;将上述得到的玻璃基片排放在玻璃皿中送入烘箱中,在100℃下烘干供制膜用;b. 将4.5份BiCl3 、1.0份SeO2 放入1800.0份稀硝酸中,使上述物质溶解得到电沉积溶液;c. 将上述电沉积溶液倒入三电极装置中,以饱和甘汞电极为参比电极,铂电极为辅助电极,二氧化锡导电玻璃为研究电极,采用晶体管恒电位仪在沉积电位为-0.4V下常温沉积薄膜,沉积时间为20min,自然干燥得到前驱体薄膜样品;d. 将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上,将前驱体薄膜和水合联氨放入管式炉中,前驱体薄膜样品不与水合联氨接触,水合联氨放入为40.0份;将管式炉加热至350℃,保温时间2h,然后冷却到室温取出; e.将步骤d所得物,进行常温自然干燥,得到硒化铋热电薄膜。
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