[发明专利]封装于修饰纳米介孔材料中的负载型抗静电剂及其制备方法和应用

摘要

本发明属于高分子材料技术领域，具体涉及一种新型长效抗静电剂的制备方法及应用。本发明以孔壁修饰的纳米介孔材料为载体，通过将传统的已商业化的小分子表面活性剂型抗静电剂分子封装于孔壁修饰的纳米介孔材料中，制备成一种新型长效负载型抗静电剂，应用于高分子材料的抗静电改性。该新负载型抗静电剂不仅具有传统小分子表面活性剂型抗静电剂的优良抗静电性能，同时，纳米介孔材料的缓释作用以及孔壁修饰官能团对小分子抗静电剂的物理阻隔、氢键和静电吸引等作用，使得负载型抗静电剂具有优良的抗静电持久性。该负载型抗静电剂用于聚苯乙烯的抗静电改性，有效降低聚苯乙烯的表面电阻率，且抗静电性能在经过多次水洗涤后几乎不下降。本发明制备负载型抗静电剂的方法简单，利于实际推广应用。

主权项

1.一种封装于修饰纳米介孔材料中的负载型抗静电剂的制备方法，其特征在于具体制备步骤如下：（1）将纳米介孔材料超声分散于无水乙醇中，超声分散5~30分钟，获得浓度为10~50 mg/mL的纳米介孔材料分散液；将硅烷偶联剂溶解于无水乙醇中，获得浓度为10~50 wt%的硅烷偶联剂溶液；将上述硅烷偶联剂溶液与纳米介孔材料分散液混合后，回流10~50小时；冷却至室温后过滤、洗涤、干燥，得到孔壁修饰的纳米介孔材料；所述纳米介孔材料为硅基介孔材料；所述硅基介孔材料选自为MCM‑22、MCM‑41、MCM‑48和SBA‑15；所述硅烷偶联剂为氨基硅烷类偶联剂；所述氨基硅烷类偶联剂为单氨基硅烷类偶联剂、双氨基硅烷类偶联剂、三氨基硅烷类偶联剂或多氨基硅烷类偶联剂；纳米介孔材料与硅烷偶联剂的质量之比为（0.05~0.5）:1；（2）将表面活性剂型抗静电剂溶解于无水乙醇中，制备浓度为10~50 mg/mL的表面活性剂型抗静电剂溶液；（3）将孔壁修饰的纳米介孔材料超声分散于表面活性剂型抗静电剂溶液中；在常温下，搅拌4~72小时，经过滤、洗涤、干燥，得到封装于修饰纳米介孔材料中的负载型抗静电剂。