[发明专利]驻极体电容式超声传感器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201510922222.3 申请日: 2015-12-14
公开(公告)号: CN105578368A 公开(公告)日: 2016-05-11
发明(设计)人: 王小青;宁瑾;俞育德;魏清泉;刘文文;刘元杰;蒋莉娟 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H04R19/01 分类号: H04R19/01;H04R31/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种驻极体电容式超声传感器及其制备方法,该驻极体电容式超声传感器,包括:一玻璃衬底,该玻璃衬底的中间为下凹的空腔;一金属下电极,其制作在玻璃衬底下凹的空腔的底部;一二氧化硅层,其制作在玻璃衬底上,且覆盖在空腔上,该二氧化硅层为驻极体振动膜;一金属上电极,其制作在二氧化硅层的下表面,且位于空腔的上方,与金属下电极对应;一硅片,其分为两块,分别制作在二氧化硅层上的两侧。本发明简化了外围配制电路,实现器件的超低功耗工作,保证了超声传感器应用的安全性。
搜索关键词: 驻极体 电容 超声 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种驻极体电容式超声传感器,包括:一玻璃衬底,该玻璃衬底的中间为下凹的空腔;一金属下电极,其制作在玻璃衬底下凹的空腔的底部;一二氧化硅层,其制作在玻璃衬底上,且覆盖在空腔上,该二氧化硅层为驻极体振动膜;一金属上电极,其制作在二氧化硅层的下表面,且位于空腔的上方,与金属下电极对应;一硅片,其分为两块,分别制作在二氧化硅层上的两侧。
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