[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201510881401.7 | 申请日： | 2015-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN105679826B | 公开（公告）日： | 2020-07-21 |
| 发明（设计）人： | 李哉勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/762;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体器件如下。基板包括NMOS区域和PMOS区域。第一沟槽和第二沟槽设置在NMOS区域中。第一缓冲层设置在第一沟槽和第二沟槽中。应力体设置在第一沟槽和第二沟槽中并设置在第一缓冲层上。第一沟道区设置在第一沟槽和第二沟槽之间并设置在基板中。第一栅电极设置在第一沟道区域上。第三沟槽设置在PMOS区域中。第二缓冲层设置在第三沟槽中。第二沟道区域设置在第三沟槽中，设置在第二缓冲层上，并具有与基板不同的半导体材料。第二栅电极设置在第二沟道区域上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件件，包括：基板，包括NMOS区域和PMOS区域；第一沟槽和第二沟槽，设置在所述NMOS区域中；第一缓冲层，设置在所述第一沟槽和所述第二沟槽中；应力体，设置在所述第一沟槽和所述第二沟槽中并设置在所述第一缓冲层上；第一沟道区域，设置在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间并设置在所述基板中；第一栅电极，设置在所述第一沟道区域上；第三沟槽，设置在所述PMOS区域中；第二缓冲层，设置在所述第三沟槽中；第二沟道区域，设置在所述第三沟槽中，设置在所述第二缓冲层上，并具有与所述基板不同的半导体材料；以及第二栅电极，设置在所述第二沟道区域上。
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