[发明专利]麦克风芯片的制造方法

摘要

本发明提供了一种麦克风芯片的制造方法，其包括：S1：提供第一衬底，两侧分别沉积绝缘氧化层；S2：在绝缘氧化层上分别沉积器件层；S3：在器件层上分别沉积四乙氧基硅烷基氧化物层；S4：刻蚀四乙氧基硅烷基氧化物层以暴露器件层，并移除第二表面上的四乙氧基硅烷基氧化物层；S5：图案化第一衬底的各沉积层；S6：提供第二衬底，第二衬底包括基底、氧化物层和单晶硅层；S7：在基底及其单晶硅层上分别沉积氧化物层；S8：刻蚀并图案化该氧化物层；S9：释放背板；S10：通过第一衬底的四乙氧基硅烷基氧化物层与第二衬底的氧化物层的室温熔接实现了第一衬底与第二衬底的结合；S11：刻蚀第二衬底以形成背腔；S12：刻蚀第一衬底以释放振膜，得到麦克风芯片。

主权项

1.一种麦克风芯片的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：S1：提供一第一衬底，所述第一衬底包括第一表面和与所述第一表面相对设置的第二表面，在所述第一表面和第二表面上分别沉积绝缘氧化层；S2：在第一表面和第二表面的绝缘氧化层上分别沉积器件层；S3：在第一表面和第二表面的器件层的表面上分别沉积四乙氧基硅烷基氧化物层；S4：刻蚀第一衬底的第一表面上的四乙氧基硅烷基氧化物层以暴露器件层，同时将第二表面上的四乙氧基硅烷基氧化物层全部移除；S5：使用光刻技术对第一表面的绝缘氧化层、器件层以及四乙氧基硅烷基氧化物层进行图案化；S6：提供第二衬底，该第二衬底包括具有第三表面和与第三表面相对的第四表面的基底、依次沉积于所述第三表面上的氧化物层和单晶硅层；S7：在所述第四表面和第三表面的单晶硅层表面上分别沉积氧化物层；S8：对所述单晶硅表面上的氧化物层进行刻蚀，然后，使用光刻技术对该氧化物层进行图案化以形成防附连凸起；S9：在单晶硅层上刻蚀多个声学孔以释放背板；S10：通过第一衬底的第一表面的四乙氧基硅烷基氧化物层与第二衬底的单晶硅层表面的氧化物层的接触实现了第一衬底与第二衬底的结合；四乙氧基硅烷基氧化物层与单晶硅层表面的氧化物层通过室温熔接技术实现结合；对第一衬底进行打磨并去除第一衬底的第二表面上的器件层和绝缘氧化物层；S11：对第二衬底中基底和第四表面上的氧化物层进行刻蚀以形成背腔；S12：从第一衬底的第二表面一直刻蚀至器件层，从而释放振膜，进而得到麦克风芯片。