[发明专利]一种单向高色阶一致性白光元件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201510873762.7 申请日: 2015-12-01
公开(公告)号: CN105390595B 公开(公告)日: 2018-09-25
发明(设计)人: 李琦;毛明华;方耀豪;陈忠兴 申请(专利权)人: 广州市信自达实业有限公司
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50;H01L33/00
代理公司: 广州凯东知识产权代理有限公司 44259 代理人: 姚迎新
地址: 510000 广东省广州市广州经济技术开*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及半导体生产制造领域,尤其涉及一种单向高色阶一致性白光元件的制造方法,主要包括以下步骤:S1.制作出整片的倒装COW结构;S2.在所述倒装COW结构的衬底表面涂覆荧光胶层,烘烤固化;S3.激光切割并劈裂形成倒装芯片;S4.提供双面胶带和治具,所述治具上设有与倒装芯片相配合的沟道,将所述双面胶带的一面贴合到治具上;S5.将所述倒装芯片的焊盘面与双面胶带的另一面贴合;S6.将高反射率的白胶注入所述治具的沟道,烘烤固化;S7.沿着所述治具的沟道切开,形成单向高色阶一致性白光元件。
搜索关键词: 一种 单向 高色阶 一致性 白光 元件 制造 方法
【主权项】:
1.一种单向高色阶一致性白光元件的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:S1.制作出整片的倒装COW结构(CHIP ON WAFER);S2.在所述倒装COW结构(CHIP ON WAFER)的衬底表面涂覆荧光胶层,烘烤固化,烘烤温度为120℃,烘烤时间为2.5小时:通过旋涂或者喷涂的方法涂覆荧光胶层,单片倒装COW结构(CHIP ON WAFER)的荧光胶层的厚度波动小于10μm,相邻倒装COW结构(CHIP ON WAFER)的荧光胶层的厚度波动小于20μm;S3.激光切割并劈裂形成倒装芯片:S31.运用机械切割或腐蚀的方法在所述荧光胶层表面设有激光切割道,所述激光切割道与倒装COW结构(CHIP ON WAFER)的沟道图形相对齐,其宽度大于12μm;S32.在所述激光切割道上进行激光或隐形激光切割并劈裂形成倒装芯片;S4.提供双面胶带和治具,所述治具上设有与倒装芯片四个侧面相配合的沟道,将所述双面胶带的一面贴合到治具上;S5.将所述倒装芯片的焊盘面与双面胶带的另一面贴合;S6.将高反射率的白胶注入所述治具的沟道,烘烤固化;S7.沿着所述治具的沟道切开,形成单向高色阶一致性白光元件。
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