[发明专利]一种下电极和反应腔室

摘要

本发明公开了一种下电极和反应腔室，下电极包括静电卡盘和设置于静电卡盘下方的下电极接口盘，下电极接口盘用于安装与静电卡盘连接的元件接口，下电极接口盘包括下电极接口盘本体、下电极接口盘上设置的容纳部，下电极接口盘还包括与下电极接口盘的介电常数不同的局部介电常数调整块，容纳部用于容纳局部介电常数调整块，通过在容纳部内选择性容纳局部介电常数调整块来调整下电极接口盘的介电常数。本发明的下电极的接口盘的局部介电常数能够在一定范围内进行调整，从而改善下电极接口盘的介电常数分布，通过调整下电极接口盘的局部电容，可以调节下电极接口盘的局部射频强度，从而调节局部刻蚀或沉积速率，改善和提高晶片刻蚀或沉积时的均匀性。

主权项

1.一种下电极，包括静电卡盘和设置于所述静电卡盘下方的下电极接口盘，所述下电极接口盘用于安装与所述静电卡盘连接的元件接口，其特征在于，所述下电极接口盘包括下电极接口盘本体、所述下电极接口盘上设置的容纳部，所述下电极接口盘还包括与所述下电极接口盘本体的介电常数不同的局部介电常数调整块，所述容纳部用于容纳所述局部介电常数调整块，其中，所述容纳部的数量为多个，所述局部介电常数调整块的数量与所述容纳部的数量相同，且一一对应设置，通过调整不同所述容纳部中局部介电常数调整块的介电常数来调整所述下电极接口盘的介电常数；并且，所述容纳部为盲孔，所述局部介电常数调整块从所述下电极接口盘上方插入所述容纳部，或者，所述容纳部为通孔，所述局部介电常数调整块设置在所述容纳部内。