[发明专利]引线框的制造方法在审
申请号: | 201510859485.4 | 申请日: | 2015-11-30 |
公开(公告)号: | CN105655259A | 公开(公告)日: | 2016-06-08 |
发明(设计)人: | 高桥俊弘 | 申请(专利权)人: | 友立材料株式会社 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 张敬强;严星铁 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于提供一种能够不使工序数、制造成本增加而仅对需要的位置实施表面粗化处理的引线框的制造方法。一种具有通过半蚀刻加工而形成的凹部(14),并且表面局部地进行粗化处理的引线框(15)的制造方法,在上述方法中,具有:使用具有半蚀刻加工用图案(84)和贯通蚀刻加工用图案(83)的掩模(80)对金属板(10)进行蚀刻,在该金属板形成上述凹部和贯通图案(13)的蚀刻工序;将上述半蚀刻加工用图案变形为粗化处理用的开口(82)的掩模变形工序;以及使用上述半蚀刻加工用图案变形为上述粗化处理用的开口的上述掩模(80a)对上述金属板进行粗化处理的粗化处理工序。 | ||
搜索关键词: | 引线 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种引线框的制造方法,该引线框具有通过半蚀刻加工而形成的凹部,并且表面局部地被粗化处理,上述引线框的制造方法的特征在于,具有:使用具有半蚀刻加工用图案和贯通蚀刻加工用图案的掩模对金属板进行蚀刻,在该金属板形成上述凹部和贯通图案的蚀刻工序;将上述半蚀刻加工用图案变形为粗化处理用的开口的掩模变形工序;以及使用上述半蚀刻加工用图案变形为上述粗化处理用的开口的上述掩模,对上述金属板进行粗化处理的粗化处理工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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